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SIR186LDP-T1-RE3

Name: Vishay SIR186LDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIR186LDP-T1-RE3
Price: 1.3 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIR186LDP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIR186LDP-T1-RE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs PPAKSO8 N-CH 60V 23.8A

Datenblatt:

SIR186LDP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,30	€ 1,30
	€ 0,82	€ 8,20
	€ 0,551	€ 55,10
	€ 0,433	€ 216,50
	€ 0,395	€ 395,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,347	€ 1 041,00
	€ 0,345	€ 2 070,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	31.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	57 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	54 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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SIR186LDP-T1-RE3 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiR186LDP 60-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFETs

Vishay/Siliconix SiR186LDP 60-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFETs nutzen die TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFET-Technologie. Die SiR186LDP MOSFETs verfügen über eine sehr niedrige R_DS x Q_g-Gütezahl (FOM) und sind auf die niedrigste R_DS-Q_oss-FOM abgestimmt. Die SiR186LDP 60-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFETs von Vishay/Siliconix eignen sich hervorragend für synchrone Gleichrichtungs-, primärseitige Schalt-, DC/DC-Wandler- und Motorantriebsschalt-Applikationen.