SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor  SCT40xKWA n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs sind MOSFETs der vierten Generation, die einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine verbesserte Kurzschlussfestigkeitszeit bieten. Diese MOSFETs verfügen über 1.200 V VDS, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, eine minimale Kriechstrecke von 4,7 mm sowie über eine schnelle Recoveryzeit. Die SCT40xKWA MOSFETs sind RoHs-konform und einfach zu steuern. Zu den typischen Applikationen gehören Induktionserwärmung, DC/DC-Wandler, Solar-Wechselrichter und Schaltnetzteile (SNT).

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Kanalmodus
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 75A N-CH SIC
Datenblatt
796Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 75 A 23.4 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
Datenblatt
800Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 91 nC + 175 C Enhancement