Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

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onsemi Gate-Treiber HIGH CURRENT IGBT GATE DR 2 576Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber Isolated High Current Gate Driver Isolated High Current Gate Driver 1 378Auf Lager
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onsemi Galvanisch isolierte Gate-Treiber Isolated Dual-Channel IGBT Gate Driver with >8mm Creepage and Clearance 990Auf Lager
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onsemi Gate-Treiber Isolated High Current Gate Driver Isolated High Current Gate Driver 634Auf Lager
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