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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
IXYS IGBTs 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 4 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGT32N170 Tube
IXYS IGBTs 75 Amps 1200V 3.5 V Rds
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 600
Mult.: 30
Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.2 kV - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXGT40N120 Tube
IXYS IGBTs IXGT64N60B3 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 400 A 460 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBTs IXGT6N170 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 3 V - 20 V, 20 V 12 A 75 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBTs IXGT6N170A TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 7 V - 20 V, 20 V 6 A 75 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBTs TO268 1700V 6A IGBT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si - 20 V, 20 V High Voltage Tube
IXYS IGBTs IXGT6N170AHV TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 1.7 kV 7 V - 20 V, 20 V 6 A 75 W - 55 C + 150 C High Voltage Reel
IXYS IGBTs IXGT72N60A3 TRL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 37 Wochen
Min.: 400
Mult.: 400
Rolle: 400

Si TO-268-3 SMD/SMT Single 600 V 1.35 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 170 A 830 W - 55 C + 150 C IXGX100N170 Tube
IXYS IGBTs 120 Amps 1200V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 240 A 830 W - 55 C + 150 C IXGX120N120 Tube

IXYS IGBTs 15khz-40khz Power Device
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXGX120N120 Tube
IXYS IGBTs GenX3 600V IGBTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 46 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.4 V 20 V 500 A 1.7 kW - 55 C + 150 C IXGX320N60 Tube

IXYS IGBTs High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.6 V 20 V 95 A - 55 C + 150 C IXGX50N120 Tube

IXYS IGBTs Low-Frequency Range Low Vcesat w/ Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole IXGX55N120 Tube

IXYS IGBTs GenX3 1200V IGBTs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 65 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole IXGX82N120 Tube

IXYS IGBTs GenX3 1200V IGBTs
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole IXGX82N120 Tube
IXYS IGBTs TO263 650V 30A XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Tube
IXYS IGBTs TO220 600V 50A XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBTs TO247 650V 110A XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX5 Tube
IXYS IGBTs TO247 650V 140A XPT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V - 20 V, 20 V 340 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 70 A 230 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX10 Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 62 A 230 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX11 Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 115 A 455 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX13 Tube

IXYS IGBTs TO247 650V 40A GENX4
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 123 A 455 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBTs Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 110 A 455 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX15 Tube