UJ3C SiC-FETs

SiC-FETs von UnitedSiC/QorvoUJ3C sind Siliziumkarbid (SiC)-FETs, die auf einer einzigartigen Kaskaden-Konfiguration basieren und für den Einsatz in Weichschalt-Designs optimiert sind. Die UJ3C SiC-FETs eignen sich ideal für die Aufrüstung eines bestehenden Silizium-basierten Bauteils oder für den Einstieg in ein neues SiC-basiertes Design. Diese Bauteile integrieren einen SiC-JFET mit einem benutzerdefinierten Si-MOSFET, um die ideale Kombination aus Normal-Aus-Betrieb, Hochleistungs-Body-Diode und einer einfachen Gate-Ansteuerung des MOSFETs mit dem Wirkungsgrad, der Geschwindigkeit und der hohen Temperaturbeständigkeit des SiC-JFETs zu erreichen. Resultierend daraus können bestehende Systeme eine Leistungssteigerung mit niedrigeren Leitungs- und Schaltverlusten, verbesserten thermischen Eigenschaften und integriertem Gate-ESD-Schutz erwarten. 

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220-3
Datenblatt
430Auf Lager
1 000erwartet ab 28.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 250

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3
Datenblatt
1 411Auf Lager
2 000erwartet ab 24.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 70

Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247
Datenblatt
739Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 30

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247
Datenblatt
529Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
Datenblatt
1 310Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 40

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24
Datenblatt
392Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24
Datenblatt
627Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 110

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2
Datenblatt
43Auf Lager
600erwartet ab 16.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 20

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24
Datenblatt
590Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Datenblatt
9Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 66 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC-MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Datenblatt
158Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET