GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMTs

Die GANB1R2-040QBA und GANB012-040CBA GaN-HEMT von Nexperia sind 40 V, 1,2 mΩ oder 12 mΩ, bidirektionale Gallium-Nitrid (GaN)-Hoch-Elektronen-Mobilitäts-Transistoren (HEMTs).

Ergebnisse: 2
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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Nexperia GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
Datenblatt
2 425Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT WLCSP-12 P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 12 mOhms 6 V 2.4 V 7.2 nC - 40 C + 125 C 11 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANB1R2-040QBA/SOT8092/VQFN16
Datenblatt
2 132Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT VQFN-16 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.2 mOhms 6 V 2.4 V 60 nC - 40 C + 125 C 105 W Enhancement