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AF54RHC132ENT-R

Name: Apogee Semiconductor AF54RHC132ENT-R
Brand: Apogee Semiconductor
SKU: 444-AF54RHC132ENT-R
Price: 90.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

444-AF54RHC132ENT-R

Herst.- Nr.:

AF54RHC132ENT-R

Herst.:

Apogee Semiconductor

Beschreibung:

Logische Gatter GEO Quad Schmitt 2-input NAND, Evaluation-Grade, NiPdAu TSSOP14, packed in tape and reel

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AF54RHC132ENT-R Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 90,31	€ 90,31
	€ 81,75	€ 817,50
	€ 79,56	€ 1 989,00
	€ 79,51	€ 3 975,50
	€ 75,79	€ 7 579,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 73,42	€ 18 355,00

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Hersteller:	Apogee Semiconductor
Produktkategorie:	Logische Gatter
Versandbeschränkungen:	Für den Export dieses Produkts aus den USA ist möglicherweise zusätzliche Dokumentation erforderlich.
RoHS:
Logik-Funktion:	NAND
Anzahl der Gates:	4 Gate
Logikfamilie:	AF54RHC
Anzahl der Eingabezeilen:	8 Input
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-14
Anzahl der Ausgabezeilen:	4 Output
Unterer Ausgangsstrom:	24 mA
Oberer Ausgangsstrom:	- 24 mA
Verzögerungszeit Übertragungs:	38 ns
Versorgungsspannung - Min.:	1.65 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Apogee Semiconductor
Logiktyp:	CMOS
Betriebstemperaturbereich:	- 55 C to + 125 C
Ausgangsstrom:	100 mA
Ausgangsspannung:	5.5 V
Produkt:	NAND Gate
Produkt-Typ:	Logic Gates
Serie:	AF54RHC132
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Logic ICs
Handelsname:	LEO

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Datenblatt

AF54RHC132ENT-R Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8542319000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 9A515.e.1

AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate

Apogee Semiconductor AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt trigger inputs is a member of the AF54RHC logic family. The Schmitt triggers on each input provide hysteresis and allow slow-rising or noisy input signals without any fall time or input rise requirements. This NAND gate is fabricated in a 180nm CMOS process using proprietary radiation-hardening techniques. The AF54RHC132 NAND gate delivers high resiliency to Single-Event Effects (SEE) and 300krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). This NAND gate supports class 2 ESD protection (4000V HBM and 500V CDM).