Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

SIJK5100E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIJK5100E-T1-GE3
Price: 5.54 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIJK5100E-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIJK5100E-T1-GE3

Herst.:

Vishay

Beschreibung:

MOSFETs PWRPK 100V 417A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIJK5100E-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay SIJK5100E-T1-GE3

Auf Lager: 4 359

Lagerbestand:: 4 359 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 3 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 5,54	€ 5,54
	€ 3,79	€ 37,90
	€ 2,77	€ 277,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 2,35	€ 3 525,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-16
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	417 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	131 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	536 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	35 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	245 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	SIJK5100E
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	41 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SIJK5100E-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiJK5100E n-Kanal-MOSFET

Der n-Kanal-MOSFET SiJK5100E von Vishay/Siliconix ist ein TrenchFET^® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung. Dieser MOSFET verfügt über eine maximale Verlustleistung von 536 W bei +25 °C, einen kontinuierlichen Source-Drain-Diodenstrom von +25 °C 487 A und eine Einzelkonfiguration. Der SiJK5100E ist UIS-getestet, blei- und halogenfrei. Der N-Kanal-MOSFET SiJK5100E von Vishay/Siliconix arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Zu den typischen Applikationen gehören Synchrongleichrichtung, Automatisierung, Netzteile, Motorantriebssteuerung und Batteriemanagement.