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TK110Z65Z,S1F

Name: Toshiba TK110Z65Z,S1F
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK110Z65ZS1F
Price: 5.81 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK110Z65ZS1F

Herst.- Nr.:

TK110Z65Z,S1F

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4L PD=190W F=1MHZ

Datenblatt:

TK110Z65Z,S1F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	110 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	40 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	190 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	45 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

TK110Z65Z,S1F Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Data

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TK110Z65Z Silizium-N-Kanal-MOSFET der DTMOSIV-Baureihe

Der TK110Z65Z Silizium-N-Kanal-MOSFET der Serie DTMOSIV von Toshiba zeichnet sich durch einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand von 0,092Ω (typisch), Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und eine geringe Kapazität aus. Der TK110Z65Z verfügt außerdem über einen Anreicherungsmodus, der ihn ideal für den Einsatz in Schaltnetzteilanwendungen macht.

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.