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NTMFS6H858NLT1G

Name: onsemi NTMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6H858NLT1G
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFS6H858NLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFS6H858NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T8 80V LL SO8FL

Datenblatt:

NTMFS6H858NLT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 1,03	€ 1,03
	€ 0,646	€ 6,46
	€ 0,426	€ 42,60
	€ 0,33	€ 165,00
	€ 0,277	€ 277,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,255	€ 382,50
	€ 0,254	€ 762,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	25 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	12 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	42 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	45 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	34 ns
Serie:	NTMFS6H858NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns

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Datenblatt

NTMFS6H858NLT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFS6H858NL n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der NTMFS6H858NL N-Kanal-Leistungs-MOSFET von onsemi ist für kompakte und effiziente Designs in einem Flat-Lead-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm konzipiert. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(on), eine niedrige Q_G und Kapazität sowie eine Logikpegel-Antriebsfähigkeit. Der NTMFS6H858NL N-Kanal-Leistungs-MOSFET wird bei einer Drain-to-Source-Spannung von 80 V, einer Gate-to-Source-Spannung von ±20 V und einem Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist Bleifrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Schaltnetzteile, Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken), 48V-Systeme, Motorsteuerung, Lastschalter und DC/DC-Wandler.