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SGT070R70HTO

Name: STMicroelectronics SGT070R70HTO
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT070R70HTO
Price: 8.57 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SGT070R70HTO

Herst.- Nr.:

SGT070R70HTO

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-LL-11
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	26 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	70 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	8.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	231 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt:	FET
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	SGT
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Typ:	PowerGaN Transistor
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	697 mg

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Datenblatt

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SGT070R70HTO E-Mode-PowerGaN-Transistor

Der STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor ist ein Hochleistungs-Anreicherungstransistor, der für Applikationen mit anspruchsvoller Leistungsumwandlung ausgelegt ist. Basierend auf der GaN-Technologie (Galliumnitrid) bietet der STMicro SGT070R70HTO eine überragende Schaltleistung mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 70Ω und minimaler Gate-Ladung für einen hohen Wirkungsgrad und reduzierte Verluste bei Hochfrequenzbetrieb. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von 700 V ist der Transistor ideal für Applikationen wie Stromversorgungen, Motorantriebe und Systeme für erneuerbare Energien. Das Bauteil zeichnet sich durch eine robuste thermische Leistung aus und ist in einem kompakten MAUT-Gehäuse untergebracht, was es für Designs geeignet macht, bei denen Platz und Wärmemanagement entscheidend sind. Das schnelle Schaltvermögen und die niedrige Eingangskapazität tragen zu einer verbesserten Systemeffizienz und Leistungsdichte bei und positionieren den SGT070R70HTO als eine starke Wahl für die Leistungselektronik der nächsten Generation.

PowerGaN E-Mode G-HEMT™ Transistoren

Die Transistoren PowerGaN E-Mode G-HEMT™ von STMicroelectronics sind leistungsstarke GaN-Bauelemente des Enhancement-Modus (Normal-Off), die für außergewöhnlich schnelles Schalten, geringe Durchlassverluste und hohe Leistungsdichte in anspruchsvollen Stromumwandlungsanwendungen ausgelegt sind. Diese Transistoren nutzen die Vorteile der großen Bandlücke von Galliumnitrid, um extrem niedrige Kapazitäten, eine minimale Gate-Ladung und eine Rücklaufladung von Null zu erzielen, was im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsschaltern aus Silizium einen überragenden Wirkungsgrad ermöglicht.

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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	€ 4,41	€ 441,00
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SGT070R70HTO

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