AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors

Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors are sized at 1.19mm x 0.51mm x 0.66mm with ceramic construction to assure the utmost thermal stability and high SRF. With exceptionally high Q compared to non-wirewound inductors (especially at high frequencies) and an operating temperature of -25°C to 85°C, the Abracon AISC SMD Ceramic Wire-Wound Chip Inductors offer inductance options from 1.0nH to 150nH. The AISC inductors are widely applied in VCO, SAW circuit for GSM, and CDMA communications and in hard disk, notebook computers, and other electronic equipment. The AISC series is available in case sizes 0402, 0603, 0805, 1008, 1206, 1210, 1210H, and 1812H.

Arten von Induktivitäten, Drosseln und Spulen
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Induktivität
Abweichungstoleranz
Maximaler Gleichstrom (DC)
Montage
Maximale Betriebstemperatur
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD 6.8 UH 10%
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4 000Auf Lager
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Rolle: 2 000

6.8 uH 10 % 480 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 8.20 uH 0.450 A 1300.00 mOhm
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49Auf Lager
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Rolle: 2 000

8.2 uH 10 % 450 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 2.00 nH 1.040 A 70.00 mOhm
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2 714Auf Lager
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Rolle: 10 000

2 nH 5 % 1.04 A SMD/SMT
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 36.00 nH 0.320 A 400.00 mOhm
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1 175Auf Lager
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Rolle: 10 000

36 nH 5 % 320 mA SMD/SMT
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 6.20 nH 0.760 A 83.00 mOhm
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6 772Auf Lager
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Rolle: 10 000

6.2 nH 5 % 760 mA SMD/SMT
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 9.00 nH 0.680 A 100.00 mOhm
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1 960Auf Lager
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Rolle: 10 000

9 nH 5 % 680 mA SMD/SMT
ABRACON Leistungsinduktivitäten – SMD IND 18.00 uH 0.080 A 10400.00 mOhm
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3 811Auf Lager
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Rolle: 3 000

18 uH 5 % 80 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Leistungsinduktivitäten – SMD IND 5.60 uH 0.150 A 3000.00 mOhm
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2 029Auf Lager
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Rolle: 3 000

5.6 uH 5 % 150 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Leistungsinduktivitäten – SMD IND 8.20 uH 0.110 A 4500.00 mOhm
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974Auf Lager
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Rolle: 3 000

8.2 uH 5 % 110 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Leistungsinduktivitäten – SMD IND 0.27 uH 0.630 A 240.00 mOhm
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3 235Auf Lager
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Rolle: 3 000

270 nH 5 % 630 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON Leistungsinduktivitäten – SMD IND 0.39 uH 0.490 A 330.00 mOhm
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124Auf Lager
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Rolle: 3 000

390 nH 5 % 490 mA SMD/SMT + 85 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 10.00 nH 0.480 A 200.00 mOhm
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7 277Auf Lager
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Rolle: 10 000

10 nH 2 % 480 mA SMD/SMT
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 3.30 nH 0.840 A 66.00 mOhm
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450Auf Lager
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Rolle: 10 000

3.3 nH 2 % 840 mA SMD/SMT
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 10.00 uH 0.100 A 4700.00 mOhm
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1 782Auf Lager
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Rolle: 2 000

10 uH 5 % 98 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD Inductor Ceramic Core Wire wound 2.3 x 1.7 x 1.55mm
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299Auf Lager
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Rolle: 2 000

2.2 uH 5 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD Inductor Ceramic Core Wire wound 2.3 x 1.7 x 1.55mm
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1 323Auf Lager
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Rolle: 2 000

68 uH 5 % 40 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 10.00 nH 1.000 A 80.00 mOhm
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395Auf Lager
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Rolle: 1 000

10 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 12.00 nH 1.000 A 80.00 mOhm
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465Auf Lager
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Rolle: 1 000

12 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 15.00 nH 1.000 A 100.00 mOhm
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235Auf Lager
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Rolle: 1 000

15 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 33.00 nH 1.000 A 110.00 mOhm
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6Auf Lager
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Rolle: 1 000

33 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 39.00 nH 1.000 A 120.00 mOhm
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68Auf Lager
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Rolle: 1 000

39 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 3.00 uH 0.300 A 3120.00 mOhm
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1 138Auf Lager
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Rolle: 1 000

3 uH 5 % 300 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 3.90 uH 0.290 A 3600.00 mOhm
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1 000Auf Lager
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Rolle: 1 000

3.9 uH 5 % 290 mA SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 47.00 nH 1.000 A 130.00 mOhm
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215Auf Lager
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Rolle: 1 000

47 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 125 C
ABRACON HF-Induktivitäten – SMD IND 100.00 nH 0.850 A 200.00 mOhm
Datenblatt
70Auf Lager
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Min.: 1
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Rolle: 1 000

100 nH 5 % 850 mA SMD/SMT + 125 C