650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Wolfspeed 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs bieten niedrige Durchlasswiderstände und Schaltverluste für einen maximalen Wirkungsgrad und eine maximale Leistungsdichte. Die 650-V-MOSFETs sind für leistungsstarke Leistungselektronik-Applikationen optimiert, einschließlich Server-Netzteile, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersysteme, Solarwechselrichter (PV), unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Batteriemanagementsysteme. Im Vergleich zu Silizium, ermöglichen die 650-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed ermöglichen niedrigere Schaltverluste von 75 %, ½ der Leitungsverluste und eine dreifach höhere Leistungsdichte.

Ergebnisse: 20
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Datenblatt
1 806Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 59 nC - 40 C + 175 C 164 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TOLL,T&R, Industrial
Datenblatt
1 164Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 79 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 131 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial
Datenblatt
1 074Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial
Datenblatt
903Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
Datenblatt
644Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Datenblatt
611Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial
Datenblatt
804Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 2.3 V 111 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 45mO, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Datenblatt
257Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Datenblatt
335Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Datenblatt
260Auf Lager
450erwartet ab 01.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 108 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
Datenblatt
1 099Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 34 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 109 nC - 40 C + 150 C 271 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
Datenblatt
211Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 112 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-247-3, Industrial
Datenblatt
350Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 15mO, 650V, TO-247-3, Industrial
Datenblatt
288Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Datenblatt
828Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
Datenblatt
2 167Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 63 nC - 40 C + 175 C 176 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET 45mO, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
Datenblatt
1Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 61 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mO, 650V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
440erwartet ab 01.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 150 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 15mO, 650V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
836Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 188 nC - 40 C + 175 C 416 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial
Datenblatt
Nicht auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 46 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement