CoolGaN™ 600-V-GIT-HEMTs

Die CoolGaN™ 600-V-Gate-Injektion-Technologie (GIT) HEMTs (High-Electron-Mobility Transistoren) von Infineon Technologies bieten schnelle Einschalt- und Ausschaltgeschwindigkeiten bei minimalen Schaltverlusten. Diese GaN-Erweiterungsmodus-Leistungstransistoren sind in einem ThinPAK 5x6-Gehäuse zur Oberflächenmontage erhältlich und eignen sich hervorragend für Applikationen, die ein kompaktes Bauteil ohne Kühlkörper erfordern. Durch den kleinen Footprint von 5 mm x 6 mm2 und die geringe Profilhöhe von 1 mm sind die CoolGaN™ 600-V-GIT-HEMTs von Infineon Technologies ideal, um eine hohe Leistungsdichte zu erreichen.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
4 684Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 2.6 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
4 892Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement
Infineon Technologies GaN FETs HV GAN DISCRETES
Datenblatt
4 928Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.4 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement