STL059N4S8AG

STMicroelectronics
511-STL059N4S8AG
STL059N4S8AG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Automotive N-channel logic level 40 V, 0.59 mOhm max., 420 A Smart STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: MOSFETs
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 87 mg
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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V, um alle Anforderungen für Lösungen mit sehr hoher Leistungsdichte zu erfüllen. Diese Niederspannungs-MOSFETs verfügen über die STPOWER StripFET F8-Technologie. Die STripFET F8-Technologie spart Energie und sorgt für geringe Rauschentwicklung in Stromumwandlungs-, Motorsteuerungs- und Stromverteilungsschaltungen, indem sie sowohl den Durchlasswiderstand als auch die Schaltverluste reduziert und gleichzeitig die Eigenschaften der Body-Diode optimiert. Die N-Kanal-Leistungs-MOSFETs STripFET F8 von STMicroelectronics vereinfachen das Systemdesign und steigern die Effizienz in Anwendungen wie Fahrzeugtechnik, Computer/Peripheriegeräte, Rechenzentren, Telekommunikation, Solarenergie, Netzteile/Wandler, Batterieladegeräte, Haushalts-/Profigeräte, Gaming, Drohnen und mehr.

STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

Der STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics  ist ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde. Die Smart StripFET F8 Technologie bietet einen niedrigen On-Widerstand für die Hochstromverteilung bei Kombination mit STi²Fuse Gate-Treibern. Dieser Leistungs-MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert und zu 100 % Avalanche-getestet. Der STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET ist in einem PowerFLAT 5x6-Gehäuse mit benetzbaren Flanken erhältlich. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über die Feuchteempfindlichkeitsstufe 1 (MSL1) und arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Der STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET eignet sich ideal für den Einsatz in Leistungsverteilungs-Applikationen.

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