TSCD 650V SiC Schottky Diodes

Taiwan Semiconductor TSCD 650V SiC Schottky Diodes feature a maximum junction temperature of +175°C and ensure robust performance under challenging conditions. Taiwan Semiconductor TSCD diodes have an MPS structure that enhances ruggedness to forward current surge events, making them suitable for high-demand scenarios. These diodes facilitate high-speed switching and boast a high forward surge capability, enabling efficient operation in various power supply systems. Additionally, the positive temperature coefficient on VF ensures stability across temperature ranges.

Ergebnisse: 16
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 16A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
1 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 16A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
997Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 16 A 650 V 1.38 V 100 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
985Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 6A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
984Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 8A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
998Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
1 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 12A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
977Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.36 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 16A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
200Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.33 V 68 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 30A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
300Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 30 A 650 V 1.36 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 40A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
274Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 650 V 1.33 V 140 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
290Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.34 V 88 A 20 uA AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 6A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
974Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.32 V 44 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 8A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
527Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 8 A 650 V 1.35 V 72 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 10A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
978Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.34 V 84 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 12A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
1 000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.65 V 88 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
Taiwan Semiconductor SiC Schottky Dioden 20A, 650V, SiC Schottky Diode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.38 V 128 A 20 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube