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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung
Abschaltungsspannung Gate-Source
Drain-Source-Strom bei Vgs=0
Id - Drain-Gleichstrom
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Datenblatt
433Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Cut Tape
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Datenblatt
172Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Bulk
Linear Integrated Systems JFETs Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Reel