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NTT2016N065M3S

Name: onsemi NTT2016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTT2016N065M3S
Price: 8.37 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTT2016N065M3S

Herst.- Nr.:

NTT2016N065M3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs EliteSiC, 16 mohm, 650 V, M3S,T2PAK industrial grade

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

NTT2016N065M3S Datenblatt (PDF)

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	€ 6,35	€ 63,50
	€ 5,29	€ 529,00
	€ 4,71	€ 2 355,00
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	€ 4,40	€ 3 520,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	T2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	85 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	23.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	100 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	333 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10.5 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFET
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	17 ns
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	54 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	25 ns

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ECCN:: EAR99

M3S EliteSiC-MOSFETs

Die EliteSiC-MOSFETs M3S von onsemi sind Lösungen für Hochfrequenz-Schaltanwendungen mit hartgeschalteten Topologien. Die MOSFETs M3S von onsemi wurden entwickelt, um Leistung und Effizienz zu optimieren. Das Gerät bietet eine bemerkenswerte Reduzierung der Gesamtschaltverluste (Etot) um ~40 % im Vergleich zu den 1200-V-20-mΩ-M1-Modellen. Die EliteSiC-MOSFETs M3S eignen sich perfekt für verschiedene Anwendungen, darunter Solarstromanlagen, Bordladegeräte und Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV).