Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

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Menge RoHS
onsemi MOSFETs NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000

onsemi MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
Rolle: 5 000
onsemi MOSFETs NFET DPAK 30V 4.1MO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen

onsemi MOSFETs TRENCH 30V NCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen

onsemi NTMFS016N06CT1G
onsemi MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 500

onsemi NTTFS5CS73NLTAG
onsemi MOSFETs T6 60V NCH LL IN U8FL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 500