Diskrete IGBT7-H7-TRENCHSTOP™-Transistoren von 650 V

TRENCHSTOP™ IGBT7-H7 650 V Infineon Technologies diskrete Transistoren verfügen über eine fortschrittliche Technologie, welche die Nachfrage nach effizienten Energieapplikationen erfüllt. Die 650 V Transistoren von Infineon Technologies verfügen über ein hochmodernes Mikromuster-Trench-Design für präzise Steuerung und hohe Leistungsfähigkeit. Das Design führt zu einer erheblichen Verlustreduzierung, einen verbesserten Wirkungsgrad und eine verbesserte Leistungsdichte in verschiedenen Branchen, wie z. B. String-Wechselrichter, Energiespeichersysteme (ESS), EV-Ladung, Industrie-USV und Schweißen.