Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

FDMC8200

Name: onsemi FDMC8200
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC8200
Price: 1.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDMC8200

Herst.- Nr.:

FDMC8200

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs DUAL N-CHANNEL PowerTrench

Datenblatt:

FDMC8200 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi FDMC8200

Auf Lager: 1 986

Lagerbestand:: 1 986 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 45 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,20	€ 1,20
	€ 0,754	€ 7,54
	€ 0,499	€ 49,90
	€ 0,389	€ 194,50
	€ 0,353	€ 353,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,287	€ 861,00
	€ 0,285	€ 1.710,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	Power-33-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	7.3 nC, 16 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.9 W, 2.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	1.3 ns, 6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	29 S, 56 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3.1 ns, 4 ns
Serie:	FDMC8200
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	35 ns, 38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns, 13 ns
Gewicht pro Stück:	186 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

FDMC8200 Datenblatt

PCN

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Thailand
Land der Verbreitung:: Taiwan

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

FDMC8200/FDMC8296 Dual N-Ch PowerTrench® MOSFET

The onsemi FDMC8200 and FDMC8296 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFETs are 30V, 9.5 mΩ, and 20 mΩ devices that include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package. The switch node of the onsemi FDMC8200 / FDMC8296 has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET and synchronous MOSFET in these onsemi devices are designed to provide optimal power efficiency. The FDMC8200 / FDMC8296 is optimized for use in mobile computing, mobile Internet devices, and general purpose point of load applications.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi / Fairchild PowerTrench^® MOSFETs bieten ein umfangreiches Portfolio von MOSFETs in der Branche. Diese MOSFETs verfügen über n-Kanal- und p-Kanal-Versionen, die für eine niedrige R_DS(ON)-Schaltleistung und Unempfindlichkeit optimiert sind. Zu den typischen Applikationen gehören Lastschalter, Primärschalter, mobile Rechner, DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichter.

FDMS36xxS Asymmetrische Dual-Leistungs-MOSFETs

Fairchild Semiconductor FDMS36xxS asymmetrische Leistungsstufen-Dual-MOSFET-Module bieten die höchste Ausgangsstromkapazität sämtlicher 5mm x 6mm Dual-MOSFET-Lösungen, die auf dem Markt erhältlich sind. Fairchild FDMS36xxS asymmetrische Dual-MOSFETs integrieren ein Steuer- und Synchron-MOSFET sowie eine monolithische Schottky-Körperdiode in einem PQFN-Gehäuse. Der Schaltknotenpunkt wurde intern verbunden, um ein einfaches Platzieren und Routing der synchronen Abwärtswandler zu ermöglichen. Der Steuer-MOSFETs und Synchron-MOSFETs sind für eine optimale Energieeffizienz des Ausgabestroms bis zu 30A konzipiert. Diese Geräte von Fairchild Semiconductor erreichen branchenführende unter-2mO niedrige RDS (on) bei als Hochleistungs-Durchschlagspannungen bewerteten Computeranwendungen. FDMS36xxS MOSFETs sind dafür optimiert die Kombination von Leitungs- und Schaltverlusten von 300kHz bis 600kHz zu reduzieren und zuverlässige, hochleistungseffiziente Point-of-Load und Mehrphasen-Synchronauslesungen in DC-DC-Abwärtsanwendungen zu liefern.
Weitere Informationen