HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die STMicroelectronics Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, die eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwenden. Diese neuen HB-Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine äußerst geringe Parameterverteilung ermöglichen einen sichereren Parallelbetrieb.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
3 169Auf Lager
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Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGP30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Datenblatt
79Auf Lager
1 000erwartet ab 04.05.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGB30H60DFB Reel, Cut Tape, MouseReel