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EVSTDRIVEG600DM

Name: STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DM
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-EVSTDRIVEG600DM
Price: 73.05 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-EVSTDRIVEG600DM

Herst.- Nr.:

EVSTDRIVEG600DM

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Demonstration board for STDRIVEG600 600V half-bridge high-speed gate driver

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Datenblatt:

EVSTDRIVEG600DM Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:
Produkt:	Demonstration Boards
Typ:	Gate Driver
Eingangsspannung:	4.75 V to 20 V
Tool für die Evaluierung von:	STDRIVEG600
Marke:	STMicroelectronics
Verpackung:	Bulk
Produkt-Typ:	Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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Datenblatt

EVSTDRIVEG600DM Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8473302000
USHTS:: 9030890100
ECCN:: EAR99

EVSTDRIVEG600DM Demonstrationsboard

Das EVSTDRIVEG600DM Demonstrationsboard von STMicroelectronics bietet ein Halbbrücken-Topologie-Referenzdesign, das den STDRIVEG600 Gate-Treiber mit einem MDmesh™ DM2 Leistungs-MOSFET kombiniert. Der STDRIVEG600 ist ein Einzel chip-Halb Brücken-gate - Treiber für GaN - (Galliumnitrid) - eHEMTs (Anreicherung Modus-High-Electron-Mobility - Transistoren) oder n-Kanal - Leistungs-MOSFETs. Die High-Side des STDRIVEG600 ist für Spannungen von bis zu 600 V ausgelegt und eignet sich für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V.