Gate-Treiber

Die Gate-Treiber von Diodes Incorporated decken eine große Auswahl von Applikationen in Leistungssystemen und im Motorantrieb ab. Diese Gate-Treiber fungieren als Schnittstelle zwischen Mikrocontroller und IGBT- oder MOSFET-Leistungsschaltern. Die Gate-Treiber bieten optimale Antriebseigenschaften bei gleichzeitiger Steuerung der Durchzündung.

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Menge RoHS
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
Datenblatt
25 000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated DGD1504S8-13
Diodes Incorporated Gate-Treiber HV Gate Driver SO-8
Datenblatt
42 500Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-7
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
86 000Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Diodes Incorporated MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Datenblatt
Nicht auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000
Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
Rolle: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 10 000
Mult.: 10 000
Rolle: 10 000