2.300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule

Wolfspeed 2.300-V-Siliziumkarbid-Leistungsmodule sind die branchenweit erste Produktfamilie von 2.300-V- Siliziumkarbid-Leistungsmodulen ohne Grundplatte für V-Bus-Applikationen von 1.500 V. Diese Ergänzung zur WolfPACK™ Produktfamilie vonWolfspeed ermöglicht es Solar-, Energiespeicher- und Mega-Watt-EV-Ladeunternehmen, die Leistung zu maximieren und gleichzeitig Stücklisten-, Produktions- und Wartungskosten für die Systeme des Benutzers zu reduzieren.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Technologie
Vf - Durchlassspannung
Vgs - Gate-Source-Spannung
Montageart
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Wolfspeed Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 7.5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Datenblatt
11Auf Lager
216erwartet ab 20.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Datenblatt
53erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Datenblatt
54erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 6mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Datenblatt
54erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 6mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Datenblatt
166erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Diskrete Halbleitermodule SiC, Module, 7.5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Datenblatt
108erwartet ab 16.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C