Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Automotive

Wolfspeed E-Baureihe Automotive-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs sind Automotive-qualifizierte, PPAP-fähige, feuchtigkeitsbeständige n-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs. Die Bauelemente bieten geringe Schaltverluste und eine hohe Gütezahl und sind für den Einsatz in EV-HLK-Motorantrieben, EV-On-Board-Ladegeräten und Hochspannungs-DC/DC-Wandlern optimiert.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 53 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 A 97.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3
Datenblatt
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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement