IDFW80C65D1XKSA1

Name: Infineon IDFW80C65D1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDFW80C65D1XKSA1
Price: 4.27 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IDFW80C65D1XKSA1

Herst.- Nr.:

IDFW80C65D1XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Kleinsignal-Schaltdioden HOME APPLIANCES

Datenblatt:

IDFW80C65D1XKSA1 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Kleinsignal-Schaltdioden
Produkt:	Switching Diodes
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Spitzensperrspannung:	650 V
Max. Spitzenstrom:	320 A
If - Durchlassstrom:	40 A
Konfiguration:	Single
Rückstellungszeit:	73 ns
Vf - Durchlassspannung:	1.45 V
Ir - Sperrstrom:	40 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Pd - Verlustleistung:	112 W
Produkt-Typ:	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Verpackung ab Werk:	240
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Artikel # Aliases:	IDFW80C65D1 SP005423480

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

IDFW80C65D1 650-V-Silizium-Leistungsdiode

Die Infineon Technologies IDFW80C65D1 650-V-Silizium-Leistungsdiode ist ein schnelles mit einem Rapid-1-Schaltemitter geregeltes 80-A-Bauteil in einem TO-247-Gehäuse mit fortschrittlicher Isolierung.Die Silizium-Leistungsdiode verfügt über eine niedrige Durchlassspannung, eine niedrige Sperrverzögerungsladung und einen niedrigen Sperrverzögerungsstrom. Diese IDFW80C65D1 Leistungsdiode bietet eine elektrische Isolationsspannung von 2.500 V RMS und eine periodische Spitzensperrspannung von 650 V. Die Silizium-Leistungsdiode wird in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +175 °C betrieben. Diese IDFW80C65D1 Leistungsdiode ist eine zu 100 % getestete isolierte Montageoberfläche mit einer bleifreien Leitungsbeschichtung. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung und Antriebe, Klimaanlagen, Universal-Antriebe (GPD) und Industrie-SNTs.