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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
MACOM GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 5W, G28V5-1C
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
1 Channel 84 V 750 mA 740 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 45W, G28V5-1C
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 4.5 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 8 GHz, 15W, G28V5-1C
Datenblatt
50erwartet ab 24.04.2026
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 1.5 A 440 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 6 GHz, 30W, G28V5-1C
Datenblatt
50erwartet ab 15.05.2026
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 3 A 220 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C
Datenblatt
50Auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 60 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 60W, G28V5-1C
Datenblatt
50erwartet ab 10.04.2026
Min.: 10
Mult.: 10
SMD/SMT 1 Channel 84 V 6 A 110 mOhms - 10 V, + 2 V - 2 V - 40 C + 85 C