PMVxx p-Kanal-Trench-MOSFETs

Die NXP p-Kanal-Trench-MOSFETs sind Verbesserungsmodus-Feldeffekt-Transistoren (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Sie verwenden die Trench-MOSFET-Technologie und bieten eine Spannung mit niedrigem Schwellenwert und eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit. Diese MOSFETs eignen sich hervorragend für Relais-Treiber, Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber, Low-Side-Lastschalter und Schaltkreisanwendungen.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Nexperia MOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.6A
Datenblatt
30 635Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PMV33UPE/SOT23/TO-236AB
Datenblatt
1 932Auf Lager
3 000erwartet ab 08.02.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 14.7 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.5A
Datenblatt
22 741Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 77 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT23 P-CH 20V 3.6A
Datenblatt
5 904erwartet ab 08.02.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel