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NTMFSC006N12MC

Name: onsemi NTMFSC006N12MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFSC006N12MC
Price: 2.8 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFSC006N12MC

Herst.- Nr.:

NTMFSC006N12MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs 120V PTNG IN 5X6 DUALCOOL

Datenblatt:

NTMFSC006N12MC Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 1,82	€ 18,20
	€ 1,26	€ 126,00
	€ 1,08	€ 540,00
	€ 1,03	€ 1.030,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 1,01	€ 3.030,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	120 V
Id - Drain-Gleichstrom:	92 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	48 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	104 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	5.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.3 ns
Serie:	NTMFSC006N12MC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	25.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15.2 ns

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Datenblatt

NTMFSC006N12MC Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTMFSC006N Dual Cool-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Der Dual Cool™ n-Kanal-Leistungs-MOSFET NTMFSC006N von onsemi verfügt über das PowerTrench^® -Verfahren in einem zweiseitig gekühlten Gehäuse. Dieser Leistungs-MOSFET zeichnet sich durch einen extrem niedrigen R_DS(ON), eine Drain-Source-Spannung von 120 V, eine Gate-Source-Spannung von ±20 V, gepulsten 1.459-A-Drainstrom und eine maximale Sperrschichtbetriebs-/Lagertemperatur von 150 °C aus. Der NTMFSC006N Dual Cool™ n-Kanal-Leistungs-MOSFET ist 100% UIL-geprüft und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören ein AC/DC-Händler-Netzteil, primärer DC/DC-FET, Synchrongleichrichter und eine DC/DC-Wandlung.