RH7G04CBKFRATCB

ROHM Semiconductor
755-RH7G04CBKFRATCB
RH7G04CBKFRATCB

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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€ 0,506 € 4 554,00

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
5 mOhms
20 V
2.5 V
19.1 nC
- 55 C
+ 175 C
62 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 9..3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 11 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 10.5 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 41.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 14.3 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RH7G04CBKFRA P-Ch-Leistungs-MOSFET

Der P-Ch-Leistungs-MOSFET RH7G04CBKFRA von ROHM Semiconductor ist gemäß AEC-Q101 für Automobilanwendungen qualifiziert, einschließlich Infotainment, Beleuchtung, ADAS und Karosserie. Das Bauelement bietet eine Drain-Source-Spannung von 40 V und einen kontinuierlichen Drainstrom von ±40 A. Der MOSFET RH7G04CBKFRA von ROHM ist in einem DFN-8-Gehäuse erhältlich.

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Die 125 °C I2C-BUS-EEPROMs für 2-Draht-Fahrzeuganwendungen von ROHM Semiconductor sind AEC-Q100-qualifiziert. Die I2C-BUS-EEPROMs von ROHM verfügen über zwei Ports serieller Takt (SCL) und serieller Daten (SDA), über die alle Steuerungen verfügbar sind. Die EEPROMs werden in einem großen Bereich von 1,7 V bis 5,5 V mit einem möglichen 1 MHz-Betrieb betrieben.

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ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.