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W957D8MFYA5I TR

Name: Winbond W957D8MFYA5I TR
Brand: Winbond
SKU: 454-W957D8MFYA5ITR
Price: 6.58 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

454-W957D8MFYA5ITR

Herst.- Nr.:

W957D8MFYA5I TR

Herst.:

Winbond

Beschreibung:

DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

W957D8MFYA5I TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Winbond
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	HyperRAM
Speichergröße:	128 Mbit
Datenbus-Weite:	8 bit
Maximale Taktfrequenz:	200 MHz
Verpackung/Gehäuse:	TFBGA-24
Organisation:	16 M x 8
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Winbond
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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Datenblatt

W957D8MFYA5I TR Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Taiwan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

HyperRAM® mit geringem Stromverbrauch

Der stromsparende Winbond HyperRAM^® ist ein mobiler DRAM mit einem Hochgeschwindigkeits-SDRAM-Bauteil, das intern als 8-Bank-Speicher konfiguriert ist und eine DDR-Architektur (Double Data Rate, DDR) auf dem Befehls-/Adressbus (CA) verwendet. Dieser HyperRAM verfügt über eine niedrige Pinzahl, einen geringen Stromverbrauch und eine einfache Steuerung zur Verbesserung der Leistungsfähigkeit von Endgeräten. Die neuen IoT-Edge- und Mensch-Maschine-Schnittstellen-Bauteile erfordern neue Funktionen in Bezug auf Größe, Stromverbrauch und Leistung. Diese HyperRAM-Speicherbausteine bieten neue technische Lösungen und sind für den schnellen Aufschwung neuer IoT-Edge- und Mensch-Maschine-Schnittstellen-Bauteile ausgelegt. Diese HyperRAMs bieten eine Leistung von 45 mW bei 1,8 V im Hybrid-Schlafmodus, der sich erheblich vom Standby-Modus des SDRAM unterscheidet. Der HyperRAM unterstützt die HyperBus-Schnittstelle und ist eine Lösung für den schnellen Aufschwung von Fahrzeugelektronik, Industrie 4.0 und Smart-Home-Applikationen.