NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs sind leistungsstarke Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von 650 V mit einem typischen RDS(on) von 23 mΩ und hervorragenden thermischen und Schalteigenschaften. Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine niedrige effektive Ausgangskapazität, einen hohen Wirkungsgrad, schnelles Schalten und eine extrem niedrige elektrische Gate-Ladung aus. Die MOSFETs NxT2023N065M3S unterstützen kontinuierliche Drainströme von bis zu 72 A und arbeiten in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Diese MOSFETs sind RoHS-konform, halogenfrei und in einem kompakten T2PAK-7L-Gehäuse untergebracht. Der EliteSiC MOSFET der Baureihe NVT2023N065M3S ist AEC-Q101-qualifiziert und eignet sich daher hervorragend für Applikationen in Automobilqualität wie On-Board-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in EV/HEV-Plattformen. Der EliteSiC-MOSFET der Baureihe NTT2023N065M3S eignet sich für SMPS, Solarumrichter, USV, Energiespeicher, und Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge.
