STP80N240K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET

Der STP80N240K6 MDmesh K6 Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der ultimativen MDmesh K6 Technologie, die auf der 20-jährigen Erfahrung von STM in der Super-Junction-Technologie beruht. Der Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET bietet eine extrem niedrige Gate-Ladung und eine hervorragende RDS(on) x Fläche. Der 800-V-Leistungs-MOSFET STP80N240K6 bietet den besten On-Widerstand pro Fläche und Gate-Ladung seiner Klasse für Applikationen, die eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad erfordern.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
Datenblatt
2 575Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
Datenblatt
75Auf Lager
1 000erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25.9 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube