Automotive-U-MOSX-H-MOSFETs

Toshiba Automotive-U-MOSX-H-MOSFETs sind mit einem niedrigen Drain-Source-On-Widerstand AEC-Q101-qualifiziert. Die U-MOSX-H verfügen über einen niedrigen Ableitstrom von IDSS = 10 µA (max.) (VDS = 100 V). Die Bauteile eignen sich hervorragend für Applikationen, wie z. B. Automotive, Schaltspannung, Regler, DC/DC-Wandler und Motortreiber. 

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Toshiba MOSFETs N-ch MOSFET, 80 V, 0.0019 O@10V, SOP Advance(E), U-MOS?-H
Datenblatt
3 381Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Datenblatt
Produkt-Kommentare
606Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape