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SI6423ADQ-T1-GE3

Name: Vishay SI6423ADQ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI6423ADQ-T1-GE3
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI6423ADQ-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI6423ADQ-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs TSSOP8 P-CH 20V 10.3A

Datenblatt:

SI6423ADQ-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,26	€ 1,26
	€ 0,791	€ 7,91
	€ 0,526	€ 52,60
	€ 0,412	€ 206,00
	€ 0,375	€ 375,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,337	€ 1.011,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSSOP-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	12.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	112 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Abfallzeit:	36 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	70 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	120 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	158 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

TrenchFET®-MOSFETs

Vishay/Siliconix TrenchFET^®-MOSFETs sind mit der p- und n-Kanal-Siliziumtechnologie ausgestattet, wodurch diese Bauteile die besten Einschaltwiderstands-Spezifikationen der Branche, wie beispielsweise 1,9 mΩ im PowerPAK^® SO-8-Gehäuse, bieten. Diese MOSFETs verfügen über einen Einschaltwiderstand, der nur halb so hoch ist wie der Einschaltwiderstand der nächstbesten Bauteile auf dem Markt. Die n-Kanal-MOSFETs bieten einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 40 V bis 250 V, eine Verlustleistung von 375 W und eine ThunderFET-Leistung (je nach Modell). Die p-Kanal-MOSFETs verfügen über bis zu 2 Kanäle, eine SMD- und Durchsteckmontage und einen Drain-Source-Durchschlagspannungsbereich von 12 V bis 200 V.

Si6423ADQ 20-V-p-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix Si6423ADQ 20-V-p-Kanal-MOSFET ist in einem TSSOP-8-Gehäuse untergebracht und bietet eine Drain-Quellenspannung von -20 V und eine Einzelimpuls-Avalanche-Energieeinstufung von 20 mJ. Dieser MOSFET verfügt über ein Einzelkonfigurationsdesign. Das Bauteil ist vollumfänglich R_g- und UIS-getestet, halogenfrei und RoHS-konform. Der Si6423ADQ 20-V-p-Kanal-MOSFET von Vishay eignet sich hervorragend für Lastschalter, Batterieschalter und Leistungsmanagement.