SIEH4800EW-T1-GE3

Vishay
78-SIEH4800EW-T1-GE3
SIEH4800EW-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

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Vishay
Produktkategorie: MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
80 V
34 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
278 nC
- 55 C
+ 175 C
3.4 W
Enhancement
Marke: Vishay
Abfallzeit: 30 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 150 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 40 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 45 s
Typische Einschaltverzögerungszeit: 140 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal-MOSFET

Der Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80 V TrenchFET® Gen IV N-Kanal- MOSFET ist für hocheffiziente Applikationen konzipiert. In einem kompakten PowerPAK®-Gehäuse von 8 mm x 8 mm Bond Drahtlos (BWL) untergebracht, bietet der SiEH4800EW einen außergewöhnlich niedrigen On-Widerstand von 0,00115 Ω bei einem VGS von 10 V, wodurch Leitungsverluste minimiert und das Betriebsverhalten verbessert werden. Mit einem maximalen Dauersenkenstrom von 260 A und einem niedrigen GATE elektrische Ladung von 117 nC ist der Vishay / Siliconix MOSFET für schnelles Schalten und die Verarbeitung hoher Ströme optimiert und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Synchrongleichrichtung Motorantriebe und dem Hochleistungs-DC/DC Wandler. Das robuste Design und die fortschrittliche Trench-Technologie gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.