GWA40MS120DF4AG

STMicroelectronics
511-GWA40MS120DF4AG
GWA40MS120DF4AG

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

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STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.95 V
20 V
80 A
536 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 80 A
Kriechstrom Gate-Emitter: 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: IGBTs
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe

Der STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt. Dieser IGBT, der zur MS-Baureihe gehört, wurde speziell für Wechselrichtersysteme entwickelt. Seine hervorragende Kurzschlussfähigkeit bei hohen Busspannungen macht ihn ideal für solche Applikationen. Auch der leicht positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die sehr enge Parameterverteilung tragen zu einem sichereren Parallelbetrieb bei. Der GWA40MS120DF4AG IGBT führ den Fahrzeugstandard bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V (VGE=0 V), einen Kollektor-Dauerstrom von 40 A (TC=100 °C) und einen Impuls-Durchlassstrom von 120 A. Dieser IGBT wird in einem TO-247-Gehäuse mit langen Anschlüssen geliefert und arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Typische Applikationen umfassen Hilfslasten, Wärmemanagementund PTC-Heizungen.