OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 8 Leistungs-MOSFETs sind N-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel 80 V (ISC016N08NM8 und ISC016N08NM8SC) oder 100 V (ISC019N10NM8SC) mit sehr niedrigem Einschaltwiderstand [RDS(ON)]. Die ISC016N08NM8SC und ISC019N10NM8SC sind in doppelseitig gekühlten Gehäusen (WSON-8) erhältlich, während der ISC016N08NM8 in einem Standardgehäuse TDSON-8 geliefert wird. Jedes Paket bietet überlegenen thermischen Widerstand und ist 100 % lawinengetestet. Die Leistungs-MOSFETs OptiMOS™ 8 von Infineon Technologies verfügen über eine Diode mit sanfter Erholung und sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform.

Ergebnisse: 3
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Datenblatt
500Auf Lager
500erwartet ab 26.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
Datenblatt
4 000erwartet ab 18.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
Datenblatt
945Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel