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AFGHL50T65RQDN

Name: onsemi AFGHL50T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL50T65RQDN
Price: 5.82 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-AFGHL50T65RQDN

Herst.- Nr.:

AFGHL50T65RQDN

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs IGBT - 650 V 50 A - Short circuit rated FS4 - Automotive qualified

Datenblatt:

AFGHL50T65RQDN Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	78 A
Pd - Verlustleistung:	346 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGHL50T65RQDN
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

AFGHL50T65RQDN Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

FS4-IGBTs

onsemi FS4 IGBTs sind eine leistungsstarke und effiziente Lösung für verschiedene Industrie- und Fahrzeuganwendungen. Der FS4 von onsemi verfügt über eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C. Diese IGBTs sind so konstruiert, dass sie selbst den rauesten Betriebsbedingungen standhalten.

AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A IGBT

Der Field-Stop-IGBT AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A von Onsemi ist ein Field-Stop-IGBT der 4. Generation mit innovativer Technologie. Der AFGHL50T65RQDN von Onsemi bietet eine optimale Leistung für Solarwechselrichter, USV, Schweißgeräte, Telekommunikations-, ESS- und PFC-Applikationen. Das Bauteil gewährleistet minimale Leitungs- und Schaltverluste.