CGHV35400F1 MACOM | Mouser Österreich

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	440225
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	125 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Marke:	MACOM
Verstärkung:	11 dB
Maximale Betriebsfrequenz:	3.5 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	2.9 GHz
Ausgangsleistung:	400 W
Verpackung:	Tray
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V, 2 V

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Datenblatt

CGHV35400F1 Datenblatt (PDF)

PCN

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

50-Ohm-I/O-angepasster CGHV35400F 400-W-GaN-HEMT

Der Wolfspeed CGHV35400F 50-Ω-I/O-angepasster 400-W-GaN-HEMT von 2,9 GHz bis 3,5 GHz für S-Band-Radar-Verstärker-Applikationen bietet einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Gain und umfangreiche Bandbreitenkapazitäten. Der CGHV35400F Transistor ist am Eingang auf 50 Ω und am Ausgang auf 50 Ohm abgestimmt.