Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.     

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube