TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
798Auf Lager
9 000erwartet ab 15.06.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 680 pC - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
6 322Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.65 nC - 55 C + 150 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET
Datenblatt
3 929Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 150 C 240 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel