DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Ergebnisse: 113
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
Datenblatt
68Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-3PN PD=165W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datenblatt
100Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tray
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Datenblatt
31Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Datenblatt
8Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs MOSFET NChannel 068ohm DTMOS
Datenblatt
43Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Datenblatt
9Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 50W 4100pF 38.8A
Datenblatt
75Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs N-Ch Power MOSFET Transistor
Datenblatt
57Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 49.2 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 160 nC + 150 C 400 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
Datenblatt
25Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 33 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
Datenblatt
197Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 680 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 12 nC - 55 C + 150 C 60 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Datenblatt
56Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Datenblatt
64Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 640 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch DTMOSIV 600 V 60W 490pF 15nC 7A
Datenblatt
144Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Datenblatt
5 000erwartet ab 12.06.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 156 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 55 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs Power MOSFET N-Channel
Datenblatt
1 987erwartet ab 21.09.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 6.8 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC
Datenblatt
100erwartet ab 08.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datenblatt
73Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
Datenblatt
60erwartet ab 01.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
Datenblatt
60erwartet ab 01.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38.8 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 110 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFETs DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
Datenblatt
90erwartet ab 01.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61.8 A 36 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 205 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs N-Ch 7A 30W FET 600V 490pF 15nC
Datenblatt
200Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 15 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube