NTBGSxDxN15MC & NVBGSxDxN15MC m-Kanal MOSFETs

DieNTBGSxDxN15MC und NVBGSxDxN15MC n-Kanal-MOSFETs von onsemi verfügen über eine Drain-Quellenspannung (V(BR)DSS) von 150 V und ein niedriges Schaltrauschen/EMI. Diese Bauteile bieten einen niedrigen QG und eine geringe Kapazität zur Reduzierung von Treiberverlusten und einen niedrigen RDS(on) zur Reduzierung von Leitungsverlusten. Die NTBGSxDxN15MC und NVBGSxDxN15MC MOSFETs sind in einem bleifreien, halogen-/BFR-freien und RoHS-konformen D2PAK7-Gehäuse erhältlich Zu den typischen Applikationen gehören Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Vakuen, UAV/Drohnen, Materialtransport, BMS/Speicherung, Heimautomatisierung, Industrie-Gabelstapler und Traktionssteuerungssysteme.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
onsemi MOSFETs Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7
Datenblatt
1 229Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7
Datenblatt
1 441Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel