OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs

Die OptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETs von Infineon Technologies sind für Hot-Swap- und E-Fuse-Anwendungen optimiert und bieten eine außergewöhnliche Leistung mit sehr niedrigem On-Widerstand RDS(on) und einem breiten sicheren Betriebsbereich (SOA). Diese n-Kanal-MOSFETs mit normalem Pegel sind 100 % Avalanche-getestet und verfügen über eine bleifreie Beschichtung, die RoHS-Konformität gewährleistet. Darüber hinaus sind diese MOSFETs gemäß IEC61249-2-21 halogenfrei, was sie umweltfreundlich für anspruchsvolle Anwendungen macht.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
5 674Auf Lager
2 000erwartet ab 02.03.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
1 699Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
Datenblatt
12 730Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel