X4-Class Leistungs-MOSFETs

IXYS X4-Class Leistungs-MOSFETs bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Leitungsverluste bei gleichzeitig verbessertem Wirkungsgrad. Diese Leistungs-MOSFETs sind in einem PLUS-Gehäuse erhältlich, das einen höheren Nennstrom und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht. Die Leistungs-MOSFETs der X4-Klasse sind pinkompatibel mit dem Standardgehäuse TO-247 und lassen sich leicht aus bestehenden Designs für eine höhere Leistung aufrüsten. Diese Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch eine niedrige Gate-Ladung und einen niedrigen thermischer Widerstand aus. Typische Applikationen sind DC-Lastschalter, Batterieschutz, Batterie-ODER-Schaltungen, Batterieenergie-Speichersysteme und DC/DC-Auf-/Abwärtswandler.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
IXYS MOSFETs 200V 2.65mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS264
Datenblatt
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 2.65 mOhms 20 V 4.5 V 535 nC - 55 C + 175 C 1.56 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
Datenblatt
600Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 400 A 3.3 mOhms 20 V 4.5 V 348 nC - 55 C + 175 C 1.36 kW Enhancement Tube