DMP4047SK3-13

Diodes Incorporated
621-DMP4047SK3-13
DMP4047SK3-13

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40V P-Ch Enh FET 45mOhm -10V

ECAD Model:
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
1 Channel
40 V
20 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
23.2 nC
- 55 C
+ 150 C
1.6 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 28.6 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 28.2 ns
Serie: DMP40
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 38.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 18.5 ns
Gewicht pro Stück: 330 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMP4047 P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Diodes Inc. DMP4047 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs minimize on-state resistance while maintaining superior switching performance. DMP4047 offers a low on-resistance of 55mΩ (max.), -40V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, -1µA zero gate threshold voltage, ±100nA gate source leakage, -3.0V gate threshold voltage (max.), and a 8.5ns turn-on delay time. The device is ideal for high efficiency power management applications such as backlighting, DC-DC converters, and power management functions.