NoBL Sync SRAM

Infineon Technologies No Bus Latency (NoBL) Burst SRAM eliminates the bus turnaround delay associated with switching between read and write operations to lower latency and increase performance. NoBL SRAM is popular in networking and test equipment applications. Similar to Infineon Standard Synchronous Burst SRAM counterparts, NoBL SRAM is offered in Flow-through and Pipelined architectures. Flow-through parts offer lower latencies, and pipelined parts offer higher operating frequencies, allowing users to select the optimal memory for their application.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 200MHz SRAM 12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM 280Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM 101Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Nein
72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM 46Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz SRAM 3Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 4 M x 18 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 250MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 105
Mult.: 105

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 167Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 400 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 200Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 250 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 133MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 305 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 360
Mult.: 360

72 Mbit 2 M x 36 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 3.3v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 133MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 525
Mult.: 525
Nein
72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.63 V 3.14 V 305 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
72 Mbit 4 M x 18 3 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 500 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray
Infineon Technologies SRAM 72MB (2Mx36) 3.3v 167MHz SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 210
Mult.: 210
Nein
72 Mbit 2 M x 36 3.4 ns 167 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Tray