Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NTBS9D0N10MC

Name: onsemi NTBS9D0N10MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBS9D0N10MC
Price: 3.11 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTBS9D0N10MC

Herst.- Nr.:

NTBS9D0N10MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L

Datenblatt:

NTBS9D0N10MC Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NTBS9D0N10MC

Auf Lager: 5 300

Lagerbestand:: 5 300 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 50 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 3,11	€ 3,11
	€ 2,03	€ 20,30
	€ 1,42	€ 142,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	€ 1,06	€ 848,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	NTBS9D0N10MC
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	360 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NTBS9D0N10MC Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTBS9D0N10MC Einzel-n-Kanal MOSFET

Der NTBS9D0N10MC Einzel-n-Kanal-MOSFET von onsemi bietet einen niedrigen Drain-Source-ON-Widerstand R_DS(ON), der Leitungsverluste reduziert. Dieser MOSFET bietet eine niedrige GATE Gesamtladung (Q_G) und eine geringe Kapazität zur Reduzierung der Treiberverluste. Der NTBS9D0N10MC MOSFET von onsemi verringert das/die Schaltrauschen/Elektromoagnetische Störung (EMI.) Dieser MOSFET bietet 100 V Drain-Source Spannung (V_DSS) und einen maximalen Dauersenkenstrom (I_D) von 60 A. Zu den typischen Applikationen gehören Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, UAV/Drohnen, Materialtransport, Batteriemanagementsystem (BMS)/Speicher und Heimautomatisierung.